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DSS5160TQ-7

LOW VCE(SAT) PNP SURFACE MOUNT TRANSISTOR

Description This Bipolar Junction Transistor (BJT) is designed to meet the stringent requirements of Automotive Applications. Features • BVCEO > -60V • IC = -1A Continuous Collector Current • ICM = -2A Peak Pulse Current • Epitaxial Planar Die Construction • Ideal for Medium Power Amplifica

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美台半导体

DSS5160TQ-7

封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 包装:卷带(TR) 描述:TRANS PNP 60V 1A SOT23-3 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

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美台半导体

更新时间:2026-1-4 23:01:00
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