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DS1265W-100IND价格
参考价格：￥592.6753
型号：DS1265W-100IND+ 品牌：Maxim 备注：这里有DS1265W-100IND多少钱，2026年最近7天走势，今日出价，今日竞价，DS1265W-100IND批发/采购报价，DS1265W-100IND行情走势销售排行榜，DS1265W-100IND报价。| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
DS1265W-100IND | 3.3V 8Mb Nonvolatile SRAM 文件：192.54 Kbytes Page：8 Pages | DALLAS |   | |
DS1265W-100IND | 封装/外壳：36-DIP 模块（0.610"，15.49mm） 包装：管件 描述：IC NVSRAM 8MBIT PARALLEL 36EDIP 集成电路（IC） 存储器 | AD 亚德诺 | | |
封装/外壳：36-DIP 模块（0.610"，15.49mm） 包装：管件 描述：IC NVSRAM 8MBIT PARALLEL 36EDIP 集成电路（IC） 存储器 | AD 亚德诺 | | ||
3.3V 8Mb Nonvolatile SRAM 文件：192.54 Kbytes Page：8 Pages | MAXIM 美信 | | ||
3.3V 8Mb Nonvolatile SRAM DESCRIPTION The DS1265W 8Mb nonvolatile (NV) SRAMs are 8,388,608-bit, fully static, NV SRAMs organized as 1,048,576 words by 8 bits. Each NV SRAM has a self-contained lithium energy source and control circuitry that constantly monitors VCC for an out-of-tolerance condition. When such a condition | DALLAS | | ||
3.3V 8Mb Nonvolatile SRAM DESCRIPTION The DS1265W 8Mb nonvolatile (NV) SRAMs are 8,388,608-bit, fully static, NV SRAMs organized as 1,048,576 words by 8 bits. Each NV SRAM has a self-contained lithium energy source and control circuitry that constantly monitors VCC for an out-of-tolerance condition. When such a condition | DALLAS | | ||
3.3V 8Mb Nonvolatile SRAM 文件：192.54 Kbytes Page：8 Pages | DALLAS | | ||
3.3V 8Mb Nonvolatile SRAM 文件：192.54 Kbytes Page：8 Pages | MAXIM 美信 | |
DS1265W-100IND产品属性
- 类型
描述
- 型号
DS1265W-100IND
- 功能描述
NVRAM 3.3V 8M NV SRAM
- RoHS
否
- 制造商
Maxim Integrated
- 数据总线宽度
8 bit
- 存储容量
1024 Kbit
- 组织
128 K x 8
- 接口类型
Parallel
- 访问时间
70 ns
- 电源电压-最大
5.5 V
- 电源电压-最小
4.5 V
- 工作电流
85 mA
- 最大工作温度
+ 70 C
- 最小工作温度
0 C
- 封装/箱体
EDIP
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
DALLAS |
25+ |
DIP |
30000 |
代理全新原装现货,价格优势 |
|||
DS |
18+ |
DIP |
85600 |
保证进口原装可开17%增值税发票 |
|||
DALLAS |
2450+ |
DIP |
8850 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
|||
DALLAS |
05+ |
PSDIP |
36 |
自己公司全新库存绝对有货 |
|||
DALLAS |
ROHS |
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一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
||||
NA |
25+ |
NA |
46 |
全新原装正品支持含税 |
|||
DALLAS |
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DIP |
850 |
原装现货专业代理,可以代拷程序 |
|||
DALLAS |
25+ |
PSDIP |
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DALLAS |
22+ |
DIP36 |
8000 |
原装正品支持实单 |
|||
ADI(亚德诺) |
25+ |
N/A |
7734 |
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DS1265W-100IND芯片相关品牌
DS1265W-100IND规格书下载地址
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2019-7-11DS1259-电池管理芯片
特点 促进不间断电源 只有当主VCC是不可用的使用电池 低正向压降 电源故障信号中断的处理器，或写保护内存 功耗小于100 nA的电池电流 低电量警告信号 电池可电断开后命令 当VCC应用，电池会自动重新连接 配合DS1212非易失控制器×16片直接与备份16的RAM 可选的16引脚SOIC表面贴装封装 DS1259电池管理芯片是一个低成本的电池管理系统的便携性和非易失性电子设备。电池输入引脚连接到一个电池
2013-1-1DS1267-双数字电位器芯片
DS1267双数字电位器芯片由两个数字控制，固态电位器。每个电位器是由256个电阻部分。彼此之间的电阻节和电位器两端的雨刮器都可以访问的抽头点。中的地位电阻阵列上的雨刮器是由一个8位值控制抽头点连接到雨刮器输出。通过3线串行接口完成通信和控制设备。这个接口允许读取或写入设备抽头位置。（或堆叠）系列中增加的总电阻与两个电位器，可连接相同的分辨率。对于多个设备，单处理器的环境中，DS1267可级联或菊花链式。此功能提供一个单一的3线总线控制多台设备的。DS1267是提供了三个标准电阻值，其中包括10，50和100千欧版本。 该设备可用的软件包，包括一个14引脚DIP，16引脚SOIC，和20引脚T
2012-12-11
DdatasheetPDF页码索引
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