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DS1220Y-200IND+

封装/外壳:24-DIP 模块(0.600",15.24mm) 包装:管件 描述:IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP 集成电路(IC) 存储器

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亚德诺

16k Nonvolatile SRAM

DESCRIPTION The DS1220Y 16k Nonvolatile SRAM is a 16,384-bit, fully static, nonvolatile RAM organized as 2048 words by 8 bits. Each NV SRAM has a self-contained lithium energy source and control circuitry that constantly monitor VCCfor an out-of-tolerance condition. FEATURES 10 ye

Dallas

DS1220Y-200IND+产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    DS1220Y-200IND+

  • 功能描述

    NVRAM

  • RoHS

  • 制造商

    Maxim Integrated

  • 数据总线宽度

    8 bit

  • 存储容量

    1024 Kbit

  • 组织

    128 K x 8

  • 接口类型

    Parallel

  • 访问时间

    70 ns

  • 电源电压-最大

    5.5 V

  • 电源电压-最小

    4.5 V

  • 工作电流

    85 mA

  • 最大工作温度

    + 70 C

  • 最小工作温度

    0 C

  • 封装/箱体

    EDIP

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-10-19 9:40:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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