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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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DRA829J-Q1 | DRA829Processors 1Features Processorcores: •Dual64-bitArm®Cortex®-A72microprocessor subsystematupto2.0GHz –1MBsharedL2cacheperdual-coreArm® Cortex®-A72cluster –32KBL1DCacheand48KBL1ICacheper Cortex®-A72Core •SixArm®Cortex®-R5FMCUsatupto1.0GHz –16KI-Cache,16KD-Cache, | TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司 |  |   |
DRA829J-Q1 | DRA829Jacinto??ProcessorsSiliconRevisions1.0and1.1 文件：7.09204 Mbytes Page：319 Pages | TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司 |  | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TI/德州仪器 |
24+ |
FCBGA |
2500 |
原装正品现货,假一罚十 |
|||
TI |
21+正纳原装现货 |
FCBGA-827 |
100 |
十年以上分销商原装进口件服务型 |
|||
24+ |
N/A |
51000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
||||
Panasonic |
23+ |
SSMini3-F3-B |
7300 |
专注配单,只做原装进口现货 |
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PANASONIC/松下 |
新年份 |
SSMini3-F3-B |
34300 |
原装正品大量现货,要多可发货,实单带接受价来谈! |
|||
Panasonic |
20+ |
SSMini3-F3-B |
36800 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
|||
TI/德州仪器 |
25+ |
原厂封装 |
10280 |
||||
TI |
24+ |
con |
35960 |
查现货到京北通宇商城 |
|||
TI(德州仪器) |
24+ |
FCBGA827 |
7350 |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
|||
TI(德州仪器) |
2024+ |
FCBGA-827 |
500000 |
诚信服务,绝对原装原盘 |
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- DRA829J_V03
- DRA829J_V02
- DRA829J_V01
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2013-3-24
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