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芯片资料

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DRA750BJGABCRQ1	DRA75x,DRA74xInfotainmentApplicationsProcessorSiliconRevision2.0 文件：7.5583 Mbytes Page：443 Pages	TI1Texas Instruments(TI) 德州仪器德州仪器 (TI)
DRA750BJGABCRQ1	InfotainmentApplicationsProcessorSiliconRevision2.0 文件：6.09554 Mbytes Page：443 Pages	TI1Texas Instruments(TI) 德州仪器德州仪器 (TI)

DRA750BJGABCRQ1供应商更多...

更新时间：2024-5-25 22:05:00

IC供应商	芯片型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市恒科翔业电子有限公司	DRA756	TI德州仪器	22+		24000	原装正品现货,实单可谈,量大价优	询价
北京京北通宇电子元件有限公司	DRA750BJGABCRQ1	TI	23+	NA	75	SoC处理器	询价
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DRA624AIZKKQI
DRA624AIZKKQI
2023-7-6
DRC23-64PAA-N010
原装代理
2022-6-20
DR73-100-R大功率屏蔽鼓形磁芯电感器-DR系列
伊顿DR系列鼓形磁芯电感器采用磁屏蔽，是台式机和服务器的理想选择
2019-9-5
DRAM第二季价格或继续下行，供应商利润恐再缩水24LC64-I/ST
根据集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)调查显示，在第一季传统淡季，DRAM价格下滑的压力加剧。
2019-6-19
DRAM市况不振，美光、三星、海力士获利遭调降
由于DRAM市况不佳，近期各研究机构纷纷调降相关厂商的运营预估值，DRAM三巨头三星、海力士、美光无一幸免。其中，美国投资银行PiperJaffray本月宣布调降美光科技2019年、2020年的获利和营收预期，并表示产业趋势可能更糟。彭博数据显示，美光科技有近70%的收入来自DRAM存储芯片。PiperJaffray分析师库玛尔（HarshK
2019-3-26
DR280AKS-REEL-1.2伏的超低功耗高电源抑制比基准电压源
特征1.2V的精密输出卓越的线路调整，2百万分之/V典型高电源纹波抑制，-80分贝，在220赫兹超低功耗，电源电流16A最大温度系数为40ppm/℃最大低噪声，12.5纳伏/赫兹典型÷工作电压范围为2.4V至5.5V紧凑型3引脚SOT-23和SC70封装应用的GSM，GPRS，3G移动站便携式电池供电电子产品低电压转换器参考无线设备概述该ADR280是一
2013-3-24