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P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR

Features • Low RDS(ON): • 80 mΩ @VGS = -4.5V • 110 mΩ @VGS = -2.7V • 130 mΩ @VGS = -2.5V • Low Input/Output Leakage • Lead Free By Design/RoHS Compliant (Note 3) • Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability • Green Device (Note 4)

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美台半导体

更新时间:2025-11-4 23:00:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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