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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Features • Low On-Resistance • Very Low Gate Threshold Voltage (1.0V max) • Low Input Capacitance • Fast Switching Speed • Low Input/Output Leakage • ESD Protected Up To 2kV • Totally Lead-Free & Fully RoHS compliant (Notes 1 & 2) • Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3 | DIODES 美台半导体 |   | ||
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：186.04 Kbytes Page：5 Pages | DIODES 美台半导体 | |
更新时间：2025-11-3 23:00:01
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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SOT-323 |
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