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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR

Description This new generation MOSFET has been designed to minimize the on-state resistance (RDS(on)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications. Features • Low On-Resistance • Low Gate Threshold Voltage • Low Input Capa

DIODES

美台半导体

更新时间:2025-10-19 14:35:01
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