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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR

Description This new generation MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications. Features and Benefits • Low On-Resistance • Low Gate Threshold Voltage • Low Inp

DIODES

美台半导体

更新时间:2025-10-20 17:53:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
DIODES/美台
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SOT-23-3
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SOT23
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百域芯优势 实单必成 可开13点增值税
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DIODES/美台
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