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N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Features  VDS= 20V, ID= 10 A RDS(ON)

Bychip

百域芯

SINGLE N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

文件:183.28 Kbytes Page:6 Pages

DIODES

美台半导体

更新时间:2025-12-18 11:36:01
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