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DUALN-CHANNELENHANCEMENTMODEFIELDEFFECTTRANSISTOR

Features •DualN-ChannelMOSFET •LowOn-Resistance •100mΩ@VGS=4.5V,ID=2.5A •140mΩ@VGS=2.5V,ID=1.5A •215mΩ@VGS=1.8V,ID=0.1A •VeryLowGateThresholdVoltage •LowInputCapacitance •FastSwitchingSpeed •ESDProtectedGateto2kVHBM •TotallyLead-Free

DIODESDiodes Incorporated

美台半导体

DIODES
更新时间:2025-6-13 23:00:01
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