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DMN2005UFGQ-7

20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

Features  Low RDS(ON)—Ensures On-State Losses are Minimized  Small-Form Factor Thermally Efficient Package Enables Higher Density End Products  Occupies 33 of the Board Area Occupied by SO-8 Enabling Smaller End Product  100 Unclamped Inductive Switching, Test in Production— Ensures Mor

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美台半导体

更新时间:2025-10-20 22:59:00
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