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DMN10H170SFGQ-13

N-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFETPowerDI3333-8

Features 100UnclampedInductiveSwitching,TestinProduction– Ensuresmorereliableandrobustendapplication LowRDS(ON)–Ensuresonstatelossesareminimized Smallformfactorthermallyefficientpackageenableshigher densityendproducts Occupiesjust33oftheboardareao

DIODESDiodes Incorporated

美台半导体

DIODES
更新时间:2025-6-5 23:01:00
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