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DUALN-CHANNELENHANCEMENTMODEFIELDEFFECTTRANSISTOR

Description ThisMOSFEThasbeendesignedtominimizetheon-stateresistance(RDS(on))andyetmaintainsuperiorswitchingperformance,makingitidealforhighefficiencypowermanagementapplications. Features •LowOn-Resistance •LowGateThresholdVoltage •LowInputCapacitance •Fast

DIODESDiodes Incorporated

达尔科技

DIODES
更新时间:2024-5-29 18:11:01
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