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DUALN-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET

Features •LowGateCharge •LowRDS(ON): ▪24mΩ@VGS=4.5V ▪28mΩ@VGS=2.5V ▪34mΩ@VGS=1.8V •LowInput/OutputLeakage •ESDProtectedupto2kVHBM •TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) •HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) •

DIODES

Diodes Incorporated

DIODES
更新时间:2025-5-20 20:00:01
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DIODES美台
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