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DMG6968UDM-7

DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

Features • Low Gate Charge • Low RDS(ON): ▪ 24mΩ @ VGS = 4.5V ▪ 28mΩ @ VGS = 2.5V ▪ 34mΩ @ VGS = 1.8V • Low Input/Output Leakage • ESD Protected up to 2kV HBM • Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) • Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3) •

DIODES

美台半导体

DMG6968UDM-7产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    DMG6968UDM-7

  • 功能描述

    MOSFET DUAL N-CHANNEL

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-8-16 15:28:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
DIODES/美台
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SOT-23-6
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只做原装,质量保证
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