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DLN10C-BT

封装/外壳:R-1,轴向 包装:散装 描述:DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL 分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单

ONSEMI

安森美半导体

DLN10C-BT

DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL

ONSEMI

安森美半导体

DLN10C-BT产品属性

  • 类型

    描述

  • 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):

    200V

  • 电流 - 平均整流(Io):

    1A

  • 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:

    980mV @ 1A

  • 速度:

    快速恢复 = 200mA(Io)

  • 反向恢复时间(trr):

    35ns

  • 不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流:

    10µA @ 200V

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    R-1(轴向)

  • 工作温度 - 结:

    150°C(最大)

更新时间:2026-8-3 10:54:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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