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DG75X12T2

1200V/75A IGBT with Diode

General Description DOSEMI IGBT Power Discrete provides ultra low conduction loss as well as low switching loss. They are designed for the applications such as general inverters and UPS. Features  Low VCE(sat) Trench IGBT technology  10μs short circuit capability  Low switching loss  M

STARPOWER

斯达半导体

DG75X12T2

分立器件

STARPOWER

斯达半导体

更新时间:2026-3-18 18:00:00
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