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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE RF POWER MOSFET

The ARF444 and ARF445 comprise a symmetric pair of RF power transistors designed for push-pull scientific, commercial, medical and industrial RF power amplifier applications. • Specified 300 Volt, 13.56 MHz Characteristics: • Output Power = 300 Watts. • Gain = 18.7dB (Typ.) • Efficiency = 83 (

ADPOW

High Voltage FET-Input OPERATIONAL AMPLIFIER

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BURR-BROWN

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DG445CY+产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    DG445CY+

  • 功能描述

    模拟开关 IC

  • RoHS

  • 制造商

    Texas Instruments

  • 开关数量

    2

  • 开关配置

    SPDT

  • 开启电阻(最大值)

    0.1 Ohms

  • 工作电源电压

    2.7 V to 4.5 V

  • 最大工作温度

    + 85 C

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    DSBGA-16

更新时间:2026-5-19 10:31:02
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Microsemi Corporation
22+
9000
原厂渠道,现货配单

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