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DF2B6.8M1ACT价格
参考价格：￥0.2633
型号：DF2B6.8M1ACT,L3F 品牌：Toshiba 备注：这里有DF2B6.8M1ACT多少钱，2026年最近7天走势，今日出价，今日竞价，DF2B6.8M1ACT批发/采购报价，DF2B6.8M1ACT行情走势销售排行榜，DF2B6.8M1ACT报价。| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
DF2B6.8M1ACT | ULTRA LOW CAPACITANCE BIDIRECTIONAL TVS DIODE Features Ultra low leakage: nA level Operating voltage: 5V Low clamping voltage Complies with following standards: – IEC 61000-4-2 (ESD) immunity test Air discharge: ±30kV Contact discharge: ±30kV – IEC61000-4-4 (EFT) 40A (5/50ns) – IEC61000-4-5 (Lightning) 4.5A (8/20μs) RoHS Compliant | LEIDITECH 雷卯电子 |   | |
DF2B6.8M1ACT | ESD Protection Diodes Silicon Epitaxial Planar 文件：268.18 Kbytes Page：8 Pages | TOSHIBA 东芝 | | |
DF2B6.8M1ACT | ESD protection diode (bi-directional type) | TOSHIBA 东芝 | | |
封装/外壳：SOD-882 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述：TVS DIODE 5VWM 20VC CST2 电路保护 TVS - 二极管 | ETC 知名厂家 | ETC | |
DF2B6.8M1ACT产品属性
- 类型
描述
- 型号
DF2B6.8M1ACT
- 功能描述
ESD 抑制器 ESD Diode 6V BI 0.3pF 0.5 IR 1 LN
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 通道
8 Channels
- 击穿电压
8 V
- 电容
45 pF
- 端接类型
SMD/SMT
- 封装/箱体
uQFN-16 功率耗散
- 工作温度范围
- 40 C to + 85 C
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TOSHIBA |
16+ |
SOD-882 |
1217 |
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TOSHIBA/东芝 |
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SOD-882 |
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TOSHIBA/东芝全新特价DF2B6.8M1ACT即刻询购立享优惠#长期有货 |
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TOSHIBA(东芝) |
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CJ/长电 |
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50000 |
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TOSHIBA/东芝 |
23+ |
SOD-882 |
50000 |
原装正品 支持实单 |
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TOSHIBA/东芝 |
14+ |
SOD882 |
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TOSHIBA |
NA |
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