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型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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DF150R12RT4 | 34mmModulewithTrench/FeldstoppIGBT4andEmitterControlled4diode 文件:476.2 Kbytes Page:9 Pages | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司 | ||
DF150R12RT4 | 34mmModulmitTrench/FeldstoppIGBT4undEmitterControlled4Diode 文件:649.28 Kbytes Page:10 Pages | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司 | ||
34mmModulmitTrench/FeldstoppIGBT4undEmitterControlled4Diode 文件:649.28 Kbytes Page:10 Pages | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司 | |||
封装/外壳:模块 包装:散装 描述:IGBT MOD 1200V 150A 790W 分立半导体产品 晶体管 - IGBT - 模块 | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司 | |||
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DF150R12RT4产品属性
- 类型
描述
- 型号
DF150R12RT4
- 功能描述
IGBT 模块 IGBT MODULES 1200V 150A
- RoHS
否
- 制造商
Infineon Technologies
- 产品
IGBT Silicon Modules
- 配置
Dual 集电极—发射极最大电压
- VCEO
600 V
- 集电极—射极饱和电压
1.95 V 在25
- C的连续集电极电流
230 A
- 栅极—射极漏泄电流
400 nA
- 功率耗散
445 W
- 最大工作温度
+ 125 C
- 封装/箱体
34MM
IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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Infineon Technologies |
23+ |
原装 |
7000 |
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Infineon/英飞凌 |
23+ |
AG-34MM-1 |
12700 |
买原装认准中赛美 |
|||
Infineon/英飞凌 |
24+ |
AG-34MM-1 |
10000 |
全新原装现货 |
|||
Infineon/英飞凌 |
2023+ |
AG-34MM-1 |
6000 |
原装正品现货、支持第三方检验、终端BOM表可配单提供 |
|||
Infineon(英飞凌) |
24+ |
AG-34mm-1 |
914 |
原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务 |
|||
Infineon/英飞凌 |
AG-34MM-1 |
6000 |
|||||
Infineon Technologies |
24+ |
原装 |
5000 |
原装正品,提供BOM配单服务 |
|||
Infineon/英飞凌 |
24+ |
AG-34MM-1 |
25000 |
原装正品,假一赔十! |
|||
INFINEON/英飞凌 |
12+ |
MODULE |
1290 |
主打模块,大量现货供应商QQ2355605126 |
|||
Infineon/英飞凌 |
23+ |
AG-34MM-1 |
25630 |
原装正品 |
DF150R12RT4规格书下载地址
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- DF154M
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- DF152M
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- DF151M
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- DF1510M
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2020-3-24DF-18-模拟杂项
KDI/三角“阶段免费PIN二极管衰减器的变化幅度一个匹配(低)电压驻波比的微波信号,在整个衰减范围,并与最小相移的变化。这些单位提供与模拟或数字控制输入,一个动态的衰减32dB,最小的范围。标准的数字单位提供的TTL8逻辑输入(位),因此可以产生256个分立的衰减值。10或12位的单位,可提供特价。
2012-12-27
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