Bridge Rectifier

ee Description With the ever-pressing need to improve power supply efficiency, improve surge rating, improve reliability, and reduce size, the DFxS2 family sets a new standard in performance. The new design offers an improved surge rating of 85 A. This is especially important when striving to i

桥式整流器

随着对提高电源效率、浪涌电流额定值、可靠性和减小尺寸的迫切需求，DFxS2 系列产品将性能和成本节约提高到一个新标准。该新设计提供高达 85 A 的浪涌电流额定值，这对于力求提高可靠性和效率尤为重要。 高效率设计力求减少电路电阻，但不幸的是会增大入侵浪涌电流。 因此，需要较高的浪涌电流额定值来维持或提高可靠性。该设计还通过实现 25°C 时，最高 1.1 V 的 2 A VF 来提高效率。较低的 VF 还支持更低发热和更高效的运行。最终，DFxS2 采用 SDIP 表面贴装封装实现所有这些优势，与竞争器件相比减少了对电路板空间和体积的要求。 • 最大浪涌电流额定值： IFSM = 85 A、I2t = 30 A2Sec\n• 优化的 VF： 2 A、25°C 时的典型值为 0.93 V\n• 兼容 DF10S 插座\n• 玻璃钝化结\n• 节约空间\n• 不含铅，符合 EU RoHS 2002/95/EU 法令\n• 绿色环保型塑封料： IEC61249 无卤代化合物\n• IR 回流焊和波峰焊合格;

封装/外壳：4-SMD，鸥翼 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述：BRIDGE RECT 1PHASE 1V 2A 4SDIP 分立半导体产品 二极管 - 桥式整流器

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current : ID= 23A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 60V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.07Ω(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive,

SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanche-rated)

SIPMOS ® Power Transistor • N channel • Enhancement mode • Avalanche-rated

MO10S2B Forcepoint Compatible Transceiver SFP 10GBase-SR (850nm, MMF, 300m, DOM)

Features ATGBICS MO10S2B 10GBase-SR supports a distance of up to 300m over multi-mode fibre (MMF) using a wavelength of 850nm via an LC connector. Digital optical monitoring (DOM) support is also present enabling real-time monitoring of the parameters of the fibre optic transceiver. Our product

SINGLE - PHASE SILICON BRIDGE RECTIFIER

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