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HiPerFETPowerMOSFETs

N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated,Highdv/dt,Lowtrr Features ●Internationalstandardpackages ●JEDECTO-264AA,epoxymeetUL94V-0,flammabilityclassification ●miniBLOCwithAluminiumnitrideisolation ●LowRDS(on)HDMOSTMprocess ●Ruggedpolysilicongatecellstructure ●U

IXYS

IXYS Corporation

IXYS

N-ChannelMOSFET

DESCRIPTION ·DrainCurrent-ID=106A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage -VDSS=200V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=20mΩ(Max)@VGS=10V APPLICATIONS ·DC-DCConverter ·BatteryChargers ·SynchronousRectification

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
更新时间:2025-6-26 9:40:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IXYS
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SOT-5396&NBS
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