| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
High Current Density Surface Mount TMBS짰 (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier FEATURES • Very low profile - typical height of 1.1 mm • Ideal for automated placement • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 260 °C • AEC-Q101 qualified available - | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 |   | ||
High Current Density Surface Mount TMBS짰 (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier 文件：105.26 Kbytes Page：5 Pages | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | |
更新时间：2026-3-18 11:44:01
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY |
25+ |
NA |
90000 |
全新原装正品、可开增票、可溯源、一站式配单 |
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VISHAY/威世 |
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VISHAY |
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VISHAY/威世 |
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VISHAY/威世 |
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VISHAY/威世 |
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TO-277A |
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VISHAY/威世 |
23+ |
TO-277A |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
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VISHAY/威世 |
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VISHAY/威世 |
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TO-277A |
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VISHAY |
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TO-277A |
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