位置：首页 > IC中文资料第5762页 > D8810
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
D8810 | MOSFET | DEPUW 德普微电子 |   | |
Technical Product Specification 文件：3.42028 Mbytes Page：84 Pages | Intel 英特尔 | | ||
Technical Product Specification 文件：3.32296 Mbytes Page：84 Pages | Intel 英特尔 | | ||
Technical Product Specification | Intel 英特尔 | | ||
Technical Product Specification | Intel 英特尔 | | ||
Technical Product Specification 文件：3.49831 Mbytes Page：88 Pages | Intel 英特尔 | | ||
Common-Drain Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description The 8810 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 1.8V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. It is ESD protected. Standard Product 8810 is Pb-free (meets RO | TUOFENG 拓锋半导体 | | ||
Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET 文件：1.37293 Mbytes Page：4 Pages | HOTTECH 合科泰 | | ||
Dual N-Channel 25-V (D-S) MOSFET 文件：973.56 Kbytes Page：8 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | | ||
N-channel power MOS field effect tube 文件：270.42 Kbytes Page：1 Pages | FUMAN 富满微 | | ||
Thermally Conductive Adhesive Transfer Tapes 文件：175.98 Kbytes Page：7 Pages | 3M | |
D8810产品属性
- 类型
描述
- 型号
D8810
- 制造商
INTEL
- 制造商全称
Intel Corporation
- 功能描述
Technical Product Specification
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NEC |
23+ |
TO-126 |
3100 |
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XR |
24+ |
SOP24 |
475 |
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EXAR |
23+ |
SOP16 |
65480 |
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CJ |
2018+ |
26976 |
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SOT-89 |
23+ |
NA |
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CJ/长电科技 |
25+ |
SOT89 |
15000 |
全新原装现货,价格优势 |
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XX |
25+23+ |
SOT23-6 |
40654 |
绝对原装正品现货,全新深圳原装进口现货 |
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Z-COMM |
23+ |
10000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
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NEC |
25+ |
TO-126 |
2987 |
绝对全新原装现货供应! |
|||
CJ |
20+ |
SOT-89 |
5600 |
样品可出,原装现货 |
D8810规格书下载地址
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2019-4-25
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