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D850N36T

Rectifier Diodes

\n优势:\n• 可靠性高,可以大幅度地减少维护并减少停机\n• 通过串联和并联的特殊设计,轻松实现系统功率调节;

INFINEON

英飞凌

封装/外壳:DO-200AB,B-PUK 包装:散装 描述:DIODE GEN PURP 3.6KV 850A 分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单

INFINEON

英飞凌

D850N36T产品属性

  • 类型

    描述

  • IFAVM/TC[A/°C] @180° el sin:

    850/100

  • Housing:

    Disc dia 58mm height 26mm / Ceramic

  • Configuration:

    Rectifier Diodes

  • VF/IF[V/kA] @Tvj max:

    2.62/3.5

  • VT0[V] @Tvj max max:

    0.84

  • rT[mΩ] @Tvj max max:

    0.49

  • Tvj[°C] max:

    160

  • RthJC[K/kW] @180° el sin max:

    38

  • Clamping force[kn] min:

    10

  • Clamping force[kn] max:

    24

更新时间:2026-5-19 9:59:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Infineon/英飞凌
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