| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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SPST Momentary Key Switches 文件：102.78 Kbytes Page：4 Pages | ITT |   | ||
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N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 65V, 93A, RDS(ON) = 4.5 m W @VGS = 10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Surface mount Package. RoHS compliant. RDS(ON) = 7.4 mW @VGS = 4.5V. | CET-MOS 华瑞 | |
更新时间：2025-12-24 14:34:01
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