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iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=4A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=2.1Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DC

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology

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DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD.

杜因特深圳市杜因特半导体有限公司

DOINGTER

TO252(DPAK)PACKAGEMARKINGDESCRIPTION

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万国半导体美国万国半导体

AOSMD

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600V,4AN-ChannelMOSFET

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AOSMDAlpha & Omega Semiconductors

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AOSMD
更新时间:2025-6-3 10:24:01
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