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isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current : ID= 4A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 2.1Ω(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC

ISC

无锡固电

N-Channel MOSFET uses advanced trench technology

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DOINGTER

杜因特

TO252(DPAK) PACKAGE MARKING DESCRIPTION

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万国半导体

TO252(DPAK) PACKAGE MARKING DESCRIPTION

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万国半导体

600V,4A N-Channel MOSFET

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万国半导体

更新时间:2025-11-4 23:00:01
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