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D3NB50

N - CHANNEL 500V - 2.5ohm - 3A - IPAK/DPAK PowerMESH MOSFET

DESCRIPTION Using the latest high voltage MESH OVERLAY™ process, SGS-Thomson has designed an advanced family of power MOSFETs with outstanding performances. The new patent pending strip layout coupled with the Company’s proprietary edge termination structure, gives the lowest RDS(on) per area, ex

STMICROELECTRONICS

意法半导体

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更新时间:2025-9-23 15:10:00
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DIP-20
35560
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货
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6000
十年配单,只做原装

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