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P-CHANNELENHANCEMENTMODEFIELDEFFECTTRANSISTOR

Description ThisnewgenerationMOSFETisdesignedtominimizetheon-stateresistance(RDS(ON))yetmaintainsuperiorswitchingperformance,makingitidealforhighefficiencypowermanagementapplications. Features •LowOn-Resistance •LowGateThresholdVoltage •LowInputCapacitance •

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更新时间:2025-6-3 14:35:01
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