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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR

Features • Low On-Resistance • Very Low Gate Threshold Voltage, 0.9V Max. • Fast Switching Speed • Low Input/Output Leakage • Ultra-Small Surface Mount Package • Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) • Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3) • ESD Protec

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美台半导体

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR

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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

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更新时间:2025-11-4 15:32:01
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