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Functional Description
The CY7C199 is a high-performance CMOS static RAM organized as 32,768 words by 8 bits. Easy memory expansion is provided by an active LOW Chip Enable (CE) and active LOW Output Enable (OE) and three-state drivers.
This device has an automatic power-down feature, reducing the power consumption by 81 when deselected. The CY7C199 is in the standard 300-mil-wide DIP, SOJ, and LCC packages.
Features
• High speed
— 10 ns
• Fast tDOE
• CMOS for optimum speed/power
• Low active power
— 467 mW (max, 12 ns “L” version)
• Low standby power
— 0.275 mW (max, “L” version)
• 2V data retention (“L” version only)
• Easy memory expansion with CE and OE features
• TTL-compatible inputs and outputs
• Automatic power-down when deselected
CY7C199-15VC产品属性
- 类型
描述
- 型号
CY7C199-15VC
- 功能描述
IC SRAM 256KBIT 15NS 28SOJ
- RoHS
否
- 类别
集成电路(IC) >> 存储器
- 系列
-
- 标准包装
96
- 系列
- 格式 -
- 存储器
闪存
- 存储器类型
FLASH
- 存储容量
16M(2M x 8,1M x 16)
- 速度
70ns
- 接口
并联
- 电源电压
2.65 V ~ 3.6 V
- 工作温度
-40°C ~ 85°C
- 封装/外壳
48-TFSOP(0.724,18.40mm 宽)
- 供应商设备封装
48-TSOP
- 包装
托盘
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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