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CY7C197BN中文资料

厂家型号

CY7C197BN

文件大小

512.32Kbytes

页面数量

9

功能描述

256 Kb (256K x 1) Static RAM

256KX1 24-PIN 300 MIL I/O SRAM

数据手册

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简称

CYPRESS赛普拉斯

生产厂商

Cypress Semiconductor

中文名称

赛普拉斯半导体公司官网

CY7C197BN数据手册规格书PDF详情

General Description [1]

The CY7C197BN is a high performance CMOS Asynchronous SRAM organized as 256K × 1 bits that supports an asynchronous memory interface. The device features an automatic power down feature that significantly reduces power consumption when deselected

Features

• Fast access time: 12 ns

• Wide voltage range: 5.0V ± 10 (4.5V to 5.5V)

• CMOS for optimum speed and power

• TTL compatible inputs and outputs

• Available in 24-lead DIP and 24-lead SOJ

CY7C197BN产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    CY7C197BN

  • 功能描述

    256KX1 24-PIN 300 MIL I/O SRAM

  • RoHS

  • 类别

    集成电路(IC) >> 存储器

  • 系列

    -

  • 标准包装

    1,000

  • 系列

    - 格式 -

  • 存储器

    EEPROMs - 串行

  • 存储器类型

    EEPROM

  • 存储容量

    4K(512 x 8)

  • 速度

    400kHz

  • 接口

    I²C,2 线串口

  • 电源电压

    2.7 V ~ 5.5 V

  • 工作温度

    -40°C ~ 85°C

  • 封装/外壳

    8-SOIC(0.173,4.40mm 宽)

  • 供应商设备封装

    8-MFP

  • 包装

    带卷(TR)

更新时间:2025-10-5 10:21:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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公司现货库存,支持实单