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TIC226E中文资料

厂家型号

TIC226E

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功能描述

SILICON BIDIRECTIONAL TRIODE THYRISTOR

数据手册

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生产厂商

COMSET

TIC226E数据手册规格书PDF详情

DESCRIPTION

This device is a bidirectional triode thyristor (triac) which may be triggered from the off-state to the on-state by either polarityof gate signal with main Terminal 2 at either polarity.

SILICON BIDIRECTIONAL TRIODE THYRISTOR

• 8 A RMS

• 70 A Peak

• Glass Passivated Wafer

• 100 V to 800 V Off-State Voltage

• Max IGTof 50 mA (Quadrants 1-3)

• High-temperature, High-current and high-voltage applications

• Compliance to ROHS

TIC226E产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    TIC226E

  • 制造商

    COMSET

  • 制造商全称

    Comset Semiconductor

  • 功能描述

    SILICON BIDIRECTIONAL TRIODE THYRISTOR

TIC226E 晶体管资料

  • TIC226E别名:TIC226E三极管、TIC226E晶体管、TIC226E晶体三极管

  • TIC226E生产厂家

  • TIC226E制作材料:Triac

  • TIC226E性质

  • TIC226E封装形式:直插封装

  • TIC226E极限工作电压:500V

  • TIC226E最大电流允许值:8A

  • TIC226E最大工作频率:<1MHZ或未知

  • TIC226E引脚数:3

  • TIC226E最大耗散功率

  • TIC226E放大倍数

  • TIC226E图片代号:B-10

  • TIC226Evtest:500

  • TIC226Ehtest:999900

  • TIC226Eatest:8

  • TIC226Ewtest:0

  • TIC226E代换 TIC226E用什么型号代替:BT137/…,MAC222…,TAG224…,T2802…,