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TIC108E中文资料

厂家型号

TIC108E

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功能描述

P-N-P-N SILICON REVERSE-BLOCKING TRIODE THYRISTORS

数据手册

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生产厂商

COMSET

TIC108E数据手册规格书PDF详情

P-N-P-N SILICON REVERSE-BLOCKING TRIODE THYRISTORS

• 5 A Continuous On-State Current

• 20 A Surge-Current

• Glass Passivated Wafer

• 100 V to 800 V Off-State Voltage

• Max IGT of 1 mA

• Compliance to ROHS

TIC108E 晶体管资料

  • TIC108E别名:TIC108E三极管、TIC108E晶体管、TIC108E晶体三极管

  • TIC108E生产厂家

  • TIC108E制作材料:50HZ-Thy

  • TIC108E性质

  • TIC108E封装形式:直插封装

  • TIC108E极限工作电压:500V

  • TIC108E最大电流允许值:3.2A

  • TIC108E最大工作频率:<1MHZ或未知

  • TIC108E引脚数:3

  • TIC108E最大耗散功率

  • TIC108E放大倍数

  • TIC108E图片代号:B-10

  • TIC108Evtest:500

  • TIC108Ehtest:999900

  • TIC108Eatest:3.2

  • TIC108Ewtest:0

  • TIC108E代换 TIC108E用什么型号代替:TAG622…,TAG623…,TAG628…,TIC106…,