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BUV26中文资料

厂家型号

BUV26

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3

功能描述

SILICON POWER TRANSISTORS

两极晶体管 - BJT NPN Medium Power

数据手册

原厂下载下载地址一下载地址二

生产厂商

COMSET

BUV26数据手册规格书PDF详情

High-speed,NPN power transistors in a TO-220 envelope. They are intended for fast switching applications such as high frequency and efficiency converters, switching regulators and motor control.

Compliance to RoHS.

BUV26产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    BUV26

  • 功能描述

    两极晶体管 - BJT NPN Medium Power

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    PowerFLAT 2 x 2

更新时间:2025-11-29 14:00:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON/安森美
17+
TO-220-3
31518
原装正品 可含税交易
STMICRO
24+/25+
492
原装正品现货库存价优
ONS
24+
原厂封装
2000
原装现货假一罚十
ON
24+
TO220ATLAS
6000
ON
23+
TO-220
6300
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ST
24+
TO-220
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23+
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BUV26G 价格

参考价格:¥2.8941

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