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BDT63中文资料

厂家型号

BDT63

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5

功能描述

SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTORS

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor

数据手册

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生产厂商

COMSET

BDT63数据手册规格书PDF详情

NPN epitaxial-base transistors in a monolithic Dalrington circuit and housed in a TO-220 envelope. They are intended for output stages in audio equipment, general amplifiers, and analogue switching application.

PNP complements are BDT62-A-B-C

Compliance to RoHS.

BDT63产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    BDT63

  • 制造商

    ISC

  • 制造商全称

    Inchange Semiconductor Company Limited

  • 功能描述

    isc Silicon NPN Darlington Power Transistor

更新时间:2026-1-27 14:14:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ST/意法
25+
TO220
20300
ST/意法原装特价BDT63C即刻询购立享优惠#长期有货
ST
24+
SOT
100
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25+
TO-220
6000
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BDT63 晶体管资料

  • BDT63F别名:BDT63F三极管、BDT63F晶体管、BDT63F晶体三极管

  • BDT63F生产厂家:英国Mullard有限公司

  • BDT63F制作材料:Si-N+Darl+Di

  • BDT63F性质:LSO

  • BDT63F封装形式:直插封装

  • BDT63F极限工作电压:60V

  • BDT63F最大电流允许值:10A

  • BDT63F最大工作频率:<1MHZ或未知

  • BDT63F引脚数:3

  • BDT63F最大耗散功率:>17W

  • BDT63F放大倍数:β>1000

  • BDT63F图片代号:B-45

  • BDT63Fvtest:60

  • BDT63Fhtest:999900

  • BDT63Fatest:10

  • BDT63Fwtest:17.0001

  • BDT63F代换 BDT63F用什么型号代替:BDT65F,2SD1827,2SD1793,2SD1591,