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2N3789中文资料

厂家型号

2N3789

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4

功能描述

EPITAXIAL-BASE TRANSISTORS

两极晶体管 - BJT PNP GP Power

数据手册

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生产厂商

COMSET

2N3789产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2N3789

  • 功能描述

    两极晶体管 - BJT PNP GP Power

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    PowerFLAT 2 x 2

更新时间:2025-10-14 16:01:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
24+
TO-3
10000
全新
MOT
24+
5000
只做原装公司现货
MOT
8026
TO-3
5
普通
MOTOROLA/摩托罗拉
23+
TO-3
50000
全新原装正品现货,支持订货
2N3789
3
3
ST
23+
TO-3
16900
正规渠道,只有原装!
MOTOROLA
23+
TO-3
22
全新原装正品现货,支持订货
Microchip Technology
25+
TO-204AA TO-3
9350
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证
ST
25+
TO-3
16900
原装,请咨询
ST
2511
TO-3
16900
电子元器件采购降本 30%!盈慧通原厂直采,砍掉中间差价