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BC858BW-G中文资料

厂家型号

BC858BW-G

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6

功能描述

Small Signal Transistor

两极晶体管 - BJT -30, -.1

数据手册

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生产厂商

COMCHIP

BC858BW-G数据手册规格书PDF详情

Features

-Ideally suited for automatic insertion

-For Switching and AF Amplifier Applications

-Power dissipation

PCM: 0.15W (@TA=25°C)

-Collector current

ICM: -0.1A

-Collector-base voltage

VCBO: BC856W= -80V

BC857W= -50V

BC858W= -30V

-Operating and storage junction temperature

range: TJ, TSTG= -65 to +150°C

BC858BW-G产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    BC858BW-G

  • 功能描述

    两极晶体管 - BJT -30, -.1

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    PowerFLAT 2 x 2

更新时间:2021-9-14 10:50:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
COMCHIP
25+
SOT-323
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COMCHIP/典琦科技
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