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1N5819B-G中文资料

厂家型号

1N5819B-G

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77.12Kbytes

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3

功能描述

Schottky Barrier Rectifiers

数据手册

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生产厂商

COMCHIP

1N5819B-G数据手册规格书PDF详情

Features

- Epitaxial construction.

- Low forward voltage drop.

- Metal-Semiconductor junction with guard ring.

- High current capability.

- For use in low voltage, high frequency inverters, free wheeling, and polarity protection applications.

更新时间:2021-9-14 10:50:00
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