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1N5819B-G中文资料
1N5819B-G数据手册规格书PDF详情
Features
- Epitaxial construction.
- Low forward voltage drop.
- Metal-Semiconductor junction with guard ring.
- High current capability.
- For use in low voltage, high frequency inverters, free wheeling, and polarity protection applications.
更新时间：2021-9-14 10:50:00
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DIODES |
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DIP |
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DIODES |
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Comchip Technology 典琦科技股份有限公司
中文资料: 12702条
典琦科技股份有限公司（Comchip Technology）成立于2000年，总部位于新北市鹰歌区，在美国硅谷和纽约设有营业据点。为了加强客户服务及深耕客户关系，公司将持续在全球重点城市设立服务据点。典琦多年致力于研发创新，提升制造技术，成为一家专业的二极管制造商，产品包括桥式整流器、高效快速整流器、开关二极管、齐纳二极管、肖特基二极管、TVS和ESD突波吸收器，近年来成功切入功率半导体元件，提供MOSFET系列产品。 目前，公司已取得TS16949、ISO9001、ISO14001等质量认证，实验室符合AEC-Q101规范，可进行车规产品验证。在研发技术方面，公司在台湾、中国、美国等地获得多
