位置:P600B-6A1 > P600B-6A1详情
P600B-6A1中文资料
P600B-6A1产品属性
- 类型
描述
- 型号
P600B-6A1
- 制造商
CHONGQING
- 制造商全称
CHONGQING
- 功能描述
TECHNICAL SPECIFICATIONS OF SILICON RECTIFIER
更新时间:2024-5-16 15:24:00
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
CHONGQING |
23+ |
原厂原包 |
19960 |
只做进口原装 终端工厂免费送样 |
|||
PANJIT |
22+ |
NA |
30000 |
100%全新原装 假一赔十 |
|||
VIS |
12800 |
||||||
Vishay |
18+ |
NA |
3000 |
进口原装正品优势供应QQ3171516190 |
|||
VISHAY/威世 |
2021+ |
P600 |
100500 |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
|||
VISHAY |
1809+ |
P600 |
3675 |
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件! |
|||
GENERALSEMICONDUCTORVISHAY |
21+ |
NA |
1773 |
只做原装,一定有货,不止网上数量,量多可订货! |
|||
GENERAL SEMICONDUCTOR (VISHAY) |
23+ |
原厂原封 |
3200 |
订货1周 原装正品 |
|||
VISHAY |
22+ |
SMD |
518000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
|||
VISHAY |
22+ |
N/A |
7910 |
全新原装 |
P600B-6A1 资料下载更多...
P600B-6A1 芯片相关型号
- 1N4754A
- 1N5238B
- 1N6284A
- 54TR-31314
- 54TR-32314
- 820NQA6ES2Y
- AC-162DSBLBH
- BA159G
- BBS1590-2FP20
- BJK-200LB02B
- DWBW2FTS31
- DWBW3F5S12
- FWS-200012001
- OAB1596-22FP0
- P600G-6A4
- P7601-5022-2R2MT
- P7601-5022-3R3MT
- P7601-5022-4R7MT
- P7601-5022-R78MT
- P7602-0603-101MT
- P7602-0603-820MT
- P7603-0703-100M
- P7603-0703-270M
- P7604-2012-271K
- P7604-2012-681K
- P7607-0603-561M
- P7609-043-4R7M
- P7609-043-5R6M
- P7609-043-6R8M
- P7609-043-8R2M
Datasheet数据表PDF页码索引
- P1
- P2
- P3
- P4
- P5
- P6
- P7
- P8
- P9
- P10
- P11
- P12
- P13
- P14
- P15
- P16
- P17
- P18
- P19
- P20
- P21
- P22
- P23
- P24
- P25
- P26
- P27
- P28
- P29
- P30
- P31
- P32
- P33
- P34
- P35
- P36
- P37
- P38
- P39
- P40
- P41
- P42
- P43
- P44
- P45
- P46
- P47
- P48
- P49
- P50
- P51
- P52
- P53
- P54
- P55
- P56
- P57
- P58
- P59
- P60
- P61
- P62
- P63
- P64
- P65
- P66
- P67
- P68
- P69
- P70
- P71
- P72
- P73
- P74
- P75
- P76
- P77
- P78
- P79
- P80
CHONGQING PINGYANG ELECTRONICS CO.,LTD 重庆平伟实业股份有限公司
重庆平伟实业股份有限公司是一家集芯片设计、封测、应用与可靠性检测服务一体化的功率半导体IDM产品公司。公司以功率半导体器件为产业基础,面向智能终端、工业控制、物联网、新能源汽车、5G通讯、家电、卫星互联网、安全电子、绿色照明等市场领域,建立了产品开发、制造和测试平台,提供高可靠性的中低压和高压功率器件、模块等产品和系统解决方案,始终将用户需求放在第一位。 公司位于重庆市梁平工业园区,专业生产各类半导体器件(整流二极管、快恢复二极管、TVS、齐纳二极管、肖特基、整流桥、MOSFET、IGBT、同步整流器件、SIC及GaN器件等),占地面积24万平方米,注册资金2.7亿元,总投资超过15亿元。公