位置:1N6289 > 1N6289详情
1N6289中文资料
1N6289产品属性
- 类型
描述
- 型号
1N6289
- 功能描述
TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 1500W 56V 10% Unidir
- RoHS
否
- 制造商
Vishay Semiconductors
- 极性
Bidirectional
- 击穿电压
58.9 V
- 钳位电压
77.4 V
- 峰值浪涌电流
38.8 A
- 封装/箱体
DO-214AB
- 最小工作温度
- 55 C
- 最大工作温度
+ 150 C
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
GOOD-ARK |
23+ |
NA |
39960 |
只做进口原装,终端工厂免费送样 |
|||
MOT |
8730 |
261 |
原装正品现货供应 |
||||
Littelfuse |
18+ |
NA |
3000 |
进口原装正品优势供应QQ3171516190 |
|||
MOTOROLA |
18+ |
DO201 |
12500 |
全新原装正品,本司专业配单,大单小单都配 |
|||
23+ |
N/A |
85200 |
正品授权货源可靠 |
||||
三年内 |
1983 |
纳立只做原装正品13590203865 |
|||||
MOT |
最新 |
261 |
原装正品 现货供应 价格优 |
||||
ON Semiconductor |
2010+ |
N/A |
1009 |
加我qq或微信,了解更多详细信息,体验一站式购物 |
|||
NJS |
20+ |
DO-201 |
6000 |
只做原装现货特价出售 |
|||
NJS |
21+ |
DO-201 |
4 |
原装现货假一赔十 |
1N6289ARL4G 价格
参考价格:¥1.2414
1N6289 资料下载更多...
1N6289 芯片相关型号
- 1N4759A
- 1N5250B
- 820LRB6ES2Y
- AC-162DGILBH
- AC-162DSILBH
- AFF-C240
- AFF-S240
- BBS1550-2SC20
- BR1505
- BR151
- BR351
- BY296G
- IL33197AD
- LHS2TRB
- MA16FAX-R
- ME78ZBA
- MH21TBD-R
- MH31TBD-R
- MHO+65FGD-R
- MV21T2AD
- P7602-1003-330YT
- P7604-3308-2R2M
- P7607-0604-1R5M
- P7607-0604-4R7M
- P7609-043-470K
- PM-10-5
- TMC6061GT
- XC6416BD26MR
- XC6419AC12EL
- XC6501C241HL
Datasheet数据表PDF页码索引
- P1
- P2
- P3
- P4
- P5
- P6
- P7
- P8
- P9
- P10
- P11
- P12
- P13
- P14
- P15
- P16
- P17
- P18
- P19
- P20
- P21
- P22
- P23
- P24
- P25
- P26
- P27
- P28
- P29
- P30
- P31
- P32
- P33
- P34
- P35
- P36
- P37
- P38
- P39
- P40
- P41
- P42
- P43
- P44
- P45
- P46
- P47
- P48
- P49
- P50
- P51
- P52
- P53
- P54
- P55
- P56
- P57
- P58
- P59
- P60
- P61
- P62
- P63
- P64
- P65
- P66
- P67
- P68
- P69
- P70
- P71
- P72
- P73
- P74
- P75
- P76
- P77
- P78
- P79
- P80
CHONGQING PINGYANG ELECTRONICS CO.,LTD 重庆平伟实业股份有限公司
重庆平伟实业股份有限公司是一家集芯片设计、封测、应用与可靠性检测服务一体化的功率半导体IDM产品公司。公司以功率半导体器件为产业基础,面向智能终端、工业控制、物联网、新能源汽车、5G通讯、家电、卫星互联网、安全电子、绿色照明等市场领域,建立了产品开发、制造和测试平台,提供高可靠性的中低压和高压功率器件、模块等产品和系统解决方案,始终将用户需求放在第一位。 公司位于重庆市梁平工业园区,专业生产各类半导体器件(整流二极管、快恢复二极管、TVS、齐纳二极管、肖特基、整流桥、MOSFET、IGBT、同步整流器件、SIC及GaN器件等),占地面积24万平方米,注册资金2.7亿元,总投资超过15亿元。公