位置:1N4001G > 1N4001G详情
1N4001G中文资料
1N4001G产品属性
- 类型
描述
- 型号
1N4001G
- 功能描述
整流器 50V 1A Standard
- RoHS
否
- 制造商
Vishay Semiconductors
- 产品
Standard Recovery Rectifiers
- 反向电压
100 V
- 恢复时间
1.2 us
- 正向连续电流
2 A
- 最大浪涌电流
35 A 反向电流
- IR
5 uA
- 安装风格
SMD/SMT
- 封装/箱体
DO-221AC
- 封装
Reel
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ON(安森美) |
23+ |
标准封装 |
9292 |
全新原装正品/价格优惠/质量保障 |
|||
VISHAY/威世 |
22+ |
3000 |
只做原装进口 免费送样!! |
||||
ON |
23+ |
原厂原封 |
31959 |
订货1周 原装正品 |
|||
ON |
22+ |
N/A |
461 |
只做原装,支持实单 |
|||
ON |
22+ |
N/A |
461 |
公司只有原装 |
|||
Fairchild Semiconductor |
23+ |
SOIC-24 |
6000 |
15年原装正品企业 |
|||
HYGROUP台产 |
09+ |
DO-41 |
100000 |
||||
ON |
11+ |
463 |
|||||
ON |
08+ |
DO41 |
2000 |
原装现货价格有优势量大可以发货 |
|||
ON |
23+ |
DO-41 |
7750 |
全新原装优势 |
1N4001G-T 价格
参考价格:¥0.1637
1N4001G 资料下载更多...
1N4001G 芯片相关型号
- 1F6G
- 1N4002G
- 1N4005G
- 1N6269A
- 2213-25VL
- 27-7402-280-TE
- 27-7552-340-45
- 27-7602-280
- 27-7702-320-45
- 27-8000-270-TE
- 29-7402-500-FL
- 29-7552-420
- 54TR-35213
- 820LRA1ES2Y
- 820NQB1ES2Y
- AC-162ESJB-H
- AFF-L330
- P7101-3225-180KT
- P7101-3225-220KT
- P7602-1003-2R5Y
- P7602-1003-5R2Y
- P7602-1003-7R0Y
- P7603-0603-121M
- P7603-0603-151M
- P7603-0603-271M
- P7604-1608-221M
- P7607-0602-151M
- P7607-0602-680M
- P7609-032-4R7M
- PBC-6P0731
Datasheet数据表PDF页码索引
- P1
- P2
- P3
- P4
- P5
- P6
- P7
- P8
- P9
- P10
- P11
- P12
- P13
- P14
- P15
- P16
- P17
- P18
- P19
- P20
- P21
- P22
- P23
- P24
- P25
- P26
- P27
- P28
- P29
- P30
- P31
- P32
- P33
- P34
- P35
- P36
- P37
- P38
- P39
- P40
- P41
- P42
- P43
- P44
- P45
- P46
- P47
- P48
- P49
- P50
- P51
- P52
- P53
- P54
- P55
- P56
- P57
- P58
- P59
- P60
- P61
- P62
- P63
- P64
- P65
- P66
- P67
- P68
- P69
- P70
- P71
- P72
- P73
- P74
- P75
- P76
- P77
- P78
- P79
- P80
CHONGQING PINGYANG ELECTRONICS CO.,LTD 重庆平伟实业股份有限公司
重庆平伟实业股份有限公司是一家集芯片设计、封测、应用与可靠性检测服务一体化的功率半导体IDM产品公司。公司以功率半导体器件为产业基础,面向智能终端、工业控制、物联网、新能源汽车、5G通讯、家电、卫星互联网、安全电子、绿色照明等市场领域,建立了产品开发、制造和测试平台,提供高可靠性的中低压和高压功率器件、模块等产品和系统解决方案,始终将用户需求放在第一位。 公司位于重庆市梁平工业园区,专业生产各类半导体器件(整流二极管、快恢复二极管、TVS、齐纳二极管、肖特基、整流桥、MOSFET、IGBT、同步整流器件、SIC及GaN器件等),占地面积24万平方米,注册资金2.7亿元,总投资超过15亿元。公