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CEBF630B中文资料

厂家型号

CEBF630B

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4

功能描述

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

200V N Channel MOS

数据手册

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生产厂商

CET

CEBF630B数据手册规格书PDF详情

Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).

High power and current handing capability.

TO-220 & TO-263 & TO-262 package & TO-220F full-pak for through hole.

Lead free product is acquired.

CEBF630B产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    CEBF630B

  • 功能描述

    200V N Channel MOS

更新时间:2025-10-11 15:01:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
CET
23+
TO-263
7300
专注配单,只做原装进口现货
CET
24+
TO-263
90000
进口原装现货假一罚十价格合理
CET
25+
TO-263
12300
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证
CET
25+
TO-263
230
原装正品,假一罚十!
CET
24+
5000
CET
18+
TO-263
41200
原装正品,现货特价
CET
23+
TO-263
8650
受权代理!全新原装现货特价热卖!
CET
13+PBF
TO-263
85
优势
CET/華瑞
23+
SOT263
50000
全新原装正品现货,支持订货
CET/華瑞
22+
SOT263
100000
代理渠道/只做原装/可含税