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CEP190N10中文资料

厂家型号

CEP190N10

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532.8Kbytes

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5

功能描述

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

数据手册

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生产厂商

CET-MOS

CEP190N10数据手册规格书PDF详情

FEATURES

100V, 190A, RDS(ON) = 3.7mW @VGS = 10V

Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).

High power and current handing capability.

TO-220 & TO-263 package.

RoHS compliant.

Applications

Battery protection,UPS.

更新时间:2025-10-7 14:31:00
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