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CED02N6A中文资料

厂家型号

CED02N6A

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4

功能描述

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

数据手册

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生产厂商

CET-MOS

CED02N6A数据手册规格书PDF详情

FEATURES

600V, 1.3A, RDS(ON) = 8.5W @VGS = 10V.

Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).

High power and current handing capability.

TO-251 & TO-252 package.

Lead free product is acquired.

CED02N6A产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    CED02N6A

  • 制造商

    CET

  • 制造商全称

    Chino-Excel Technology

  • 功能描述

    N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

更新时间:2025-10-8 10:51:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
CET
23+
TO251
7000
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CET
24+
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CET/華瑞
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TO-251
50000
原厂代理 终端免费提供样品
C
23+
TO-251
6000
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CET
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