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CEB68N10L中文资料

厂家型号

CEB68N10L

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5

功能描述

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

数据手册

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生产厂商

CET-MOS

CEB68N10L数据手册规格书PDF详情

FEATURES

100V, 69A, RDS(ON) = 9.8mW @VGS = 10V.

Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).

High power and current handing capability.

TO-220 & TO-263 package.

RoHS compliant.

RDS(ON) = 13mW @V GS = 4.5V.

更新时间:2025-10-7 14:01:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
NK/南科功率
2025+
TO-263
986966
国产
CET/華瑞
2511
TO-263
360000
电子元器件采购降本 30%!盈慧通原厂直采,砍掉中间差价
CET
2015+
SOP/DIP
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N/A
60000
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CET
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