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CEB630N中文资料

厂家型号

CEB630N

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4

功能描述

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

数据手册

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生产厂商

CET-MOS

CEB630N数据手册规格书PDF详情

FEATURES

Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).

High power and current handing capability.

Lead free product is acquired.

CEB630N产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    CEB630N

  • 制造商

    CET

  • 制造商全称

    Chino-Excel Technology

  • 功能描述

    N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

更新时间:2025-10-7 15:36:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
SR
23+
T0-263
6000
原装正品,假一罚十
CET/華瑞
2022+
TO-263
50000
原厂代理 终端免费提供样品
CET
23+
TO-263
6000
原装正品,支持实单
CET
25+
TO-263
40
原装正品,假一罚十!
VIA
24+
BGA300
17860
公司现货库存,支持实单
NK/南科功率
2025+
TO-263
986966
国产
CET/華瑞
2511
TO-263
360000
电子元器件采购降本 30%!盈慧通原厂直采,砍掉中间差价
VBsemi
21+
TO263
10065
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
VBsemi
23+
T0-263
8560
受权代理!全新原装现货特价热卖!
VBsemi
24+
TO263
11000
原装正品 有挂有货 假一赔十