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CEB5175中文资料

厂家型号

CEB5175

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4

功能描述

P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

数据手册

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生产厂商

CET-MOS

CEB5175数据手册规格书PDF详情

FEATURES

-55V, -50A, RDS(ON) = 23mW @VGS = 10V.

Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).

High power and current handing capability.

TO-220 & TO-263 package.

RoHS compliant.

RDS(ON) = 28mW @VGS = 4.5V.

更新时间:2025-10-6 11:10:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
主力推广,可以零售
23+
QFP/QFN
3000
一级代理原厂VIP渠道,专注军工、汽车、医疗、工业、
NK/南科功率
2025+
TO-263
986966
国产
CET/華瑞
2511
TO-263
360000
电子元器件采购降本 30%!盈慧通原厂直采,砍掉中间差价
SR
23+
T0-263
5000
原装正品,假一罚十
CET
24+
TO-263
90000
进口原装现货假一罚十价格合理
CET
23+
TO-263
7300
专注配单,只做原装进口现货
CET
23+24
TO-263
38754
原装正品渠道商,提供BOM一站式配单服务
CET
24+
5000
CET/華瑞
23+
TO-263
50000
全新原装正品现货,支持订货
C
TO-263
22+
6000
十年配单,只做原装