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CEB02N6G中文资料

厂家型号

CEB02N6G

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4

功能描述

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

数据手册

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生产厂商

CET-MOS

CEB02N6G数据手册规格书PDF详情

FEATURES

Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).

High power and current handing capability.

Lead free product is acquired.

CEB02N6G产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    CEB02N6G

  • 制造商

    CET

  • 制造商全称

    Chino-Excel Technology

  • 功能描述

    N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

更新时间:2025-10-17 14:02:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
CET/華瑞
2022+
TO-263
50000
原厂代理 终端免费提供样品
CET/華瑞
23+
TO-263
79999
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
CET/華瑞
2511
TO-263
360000
电子元器件采购降本30%!原厂直采,砍掉中间差价
CET
24+
TO-263
90000
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CET
18+
TO-263
41200
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25+
TO-263
12300
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证
CET
24+
50000
CET
23+
TO-263
30000
代理全新原装现货,价格优势